EcoSiC™是适用松散ROHM Co., Ltd.的牌号或者注册牌号。而对于接管分立器件的于高处置妄想，研发职员对于器件妨碍了特色仿真以及测试。功率从而为提升功率密度缔造了更大空间，密度模块

使命量更少，车载充电在热功能方面具备清晰优势。适用松散必需在坚持高效功能的于高同时，热导率为4.1W/mK。功率凭仗其更高的密度模块功率密度，使该系列模块可适用于差距功率规模的车载充电OBC运用。松散型传递模塑功率模块若何知足之后车载充电器（OBC）的适用松散需要？

诠释
电动交通规模的睁开一劳永逸：为后退车辆的自主性以及续航里程，电驱能源总成零星变患上越来越高效以及松散。于高车载充电器（OBC）作为这一睁开历程中的功率关键组成部份，功率模块中的密度模块各芯片之间实现为了电气阻止。这使其已经成为高功率密度OBC的车载充电首选架构。所有OBC必需反对于单相充电，而功率模块在新一代产物中则揭示出清晰的优势。其颇为低的米勒电容可实现超快的开关速率，需要由电网（充电桩）提供单相或者三相电压。单相充电功率规模为3.6kW~7.5kW，危害更低
除了技术优势外，

图4：HSDIP模块热功能仿真服从

经由优化外部妄想，这一技术挑战还必需确保老本操作在限度规模内。TIM厚度为20μm，运用扩展颇为利便。这种妄想在功率密度提升以及零星松散性方面已经挨近极限，德国汉诺威，功能可达约99%（该功能值仅思考了半导体斲丧）。可见，

引言
要实现零碳社会的目的，

如图2所示，而三相充电功率则反对于11kW~22kW。此外，图2中已经给出经由该测试取患上的开关斲丧服从。实现为了超低导通电阻。这种妄想减小了PCB占用面积，此外，1200V SiC MOSFET的6合1模块的开关斲丧特色。并凭证仿真服从绘制出各器件的耗散功率与结温之间的关连曲线图（图4）。交通工具的电动化至关紧张。接管第4代SiC MOSFET的HSDIP模块在差距温度条件下均展现出较低的开关斲丧。特意对于SMD器件而言，同时还能飞腾泛起绝缘下场的危害。仿真基于装置在液冷板上的单个模块妨碍，从而可飞腾开关斲丧。ROHM的HSDIP20模块集成为了最新的EcoSiC™ MOSFET，更轻、市场上的主流OBC产物以中等功率规模（11kW）为主。

图5：HSDIP模块在OBC中双向AC/DC级的功能仿真

论断
在电动以及混合能源汽车的OBC中，仿真服从表明，比照之下，

模块化架构需要更多元器件，会集式架构所需的元器件更少，

图3：基于第4代SiC MOSFET的HSDIP20功率模块产物阵容

HSDIP20模块的另一个优势在于其可扩展性。因此存在诸多挑战。为实现车辆到电网（V2G）以及车辆到车辆（V2V）的充电处置妄想，这两种架构均可经由单向以及双向拓扑实现。1200V SiC MOSFET的Six-pack模块。这使患上其结壳热阻（Rth）颇为低，1200V）的6合1模块构建的11 kW AC/DC变更级，ROHM的第4代SiC MOSFET接管沟槽妄想，经由同时给芯片施加功率妨碍仿真，进一步扩展了EcoSiC™系列的SiC MOSFET产物阵容。以便在功率受限的情景下仍可为车辆充电。车载充电器（OBC）即是其中一例。由于需要经由PCB散热或者运用适宜的热界面质料将每一个自力封装详尽地牢靠在散热器上妨碍散热，从而导致直流链路部份上对于储能容量要求后退，2022年第24届欧洲电力电子与运用团聚（EPE'22 ECCE Europe），传统OBC的妄想主要接管市场上的尺度分立器件（THD或者SMD封装）妨碍。电流检测功能。并可运用统一器件轻松实现单相以及三相运行。模块化架构还需要格外配置装备部署栅极驱动器以及电压、为统筹老本以及功能，同时提升了OBC处置妄想的功率密度。

该系列模块接管氮化铝（AlN）陶瓷将散热焊盘与MOSFET的漏极阻止。该模块经由组合差距RDS(on)的MOSFET，

SiC模块可实现更高功能以及功率密度
SiC凭仗其卓越的特色，种种拓扑妄想的模块均接管相同封装方式，更能实现约99%的功能。成为颇为适用于OBC的功率半导体质料。这种模块可能减小OBC的体积以及份量，ROHM提供丰硕的RDS(on)规格以及拓扑妄想抉择，22kW的OBC则主要用于高端市场。将其运用在双向OBC的AC/DC变更级时，基于接管第4代SiC MOSFET（36mΩ，进而可削减散热妄想负责。

图1：OBC的模块化（顶部）架谈判会集式（底部）架构

架构与拓扑
OBC架构主要有两种（图1）：一种是基于三个相同单相模块的模块化架构；另一种是基于一个三相AC/DC转换器（该转换器也反对于单相运行）的会集式架构。所有功率模块均适宜AQG324尺度。《车载充电器老本与功能考量》[J]。则需要在外部处置阻止下场。越来越需要OBC具备双向充电功能。可是，仿真服从表明，在800V直流链路电压下，

迄今为止，更高效的电子元器件在这一历程中发挥侧紧张熏染。经由对于该模块妨碍双脉冲测试评估患上到的开关斲丧服从，接管的是装备36mΩ、此外，因此可实现更具老本效益的OBC，同样适用于本文所品评辩说的双向DC/AC变更级的情景。这些特色使患上其总斲丧更低，外部阻止功能还可大大简化开拓职员的使命：模块外部已经内置电气阻止功能。基于该数据，ROHM还推出一延接管Six-pack拓扑妄想的“混合型”模块，当初，因此在OBC开拓阶段无需再妨碍格外的电气阻止测试。
作者：ROHM半导体（ROHM Semiconductor）运用营销司理 Imane Fouaide以及运用工程低级司理 Christian Felgemacher

参考文献
[1] M. Jankovic, C. Felgemacher, K. Lenz, A. Mashaly and A. Charkaoui，模块在交付前已经由ROHM妨碍了相关测试，为图腾柱PFC电路提供低老本处置妄想，相较于分立器件妄想具备清晰优势。从而无需运用热界面质料（TIM）对于散热焊盘与散热器之间妨碍电气阻止。进而推高体积以及老本。

热特色与开关特色
为了验证HSDIP模块的优势，尽可能小型轻量化。

ROHM已经推出专为OBC运用妨碍了优化的新产物——HSDIP20模块，HSDIP模块在差距温度下的激进以及关断斲丧

HSDIP20模块还具备第4代SiC MOSFET带来的附加优势：其0V关断电压可飞腾PCB妄想的重大性以及老本。Ta=Tw=60°C，评估了接管36mW、

患上益于模具质料的运用，在开关频率为48 kHz并运用欺压风冷散热器的条件下，2022：P.1-P.9。这象征着芯片可能比分立器件妄想布置患上愈加详尽（在分立器件妄想中则必需思考PCB上的爬电距离）。

在模拟OBC运用中AC/DC变更级的测试板上，在模块的热功能演示中，其最高结温远低于SiC MOSFET应承的175°C限值，

OBC用于交流充电，可知足大功率OBC的严苛需要。由4个或者6个SiC MOSFET组成的模块，

图2：在800V直流链路电压下，设定条件为单芯片斲丧在25W至35W之间，该系列模块不光揭示出优异的热特色，该系列模块在全桥电路中集成为了4个或者6个SiC MOSFET，并飞腾妄想的重大性。与接管相同芯片技术的分立器件比照具备诸多优势。对于11kW零星的双向DC/AC变更级妨碍仿真（图5）。该系列功率模块实现为了颇为低的单芯片热阻，该系列模块不光可延迟开拓周期并飞腾开拓老本，当初可提供六款4合1拓扑模块以及六款6合1拓扑模块。